高通正式公布了新835年Snapdragon处理器基于三星的10 nm的过程,不仅提高性能,也减少了时间收取设备。
下一代SoC的移动设备是最新的和最伟大的高通的超过200的设计广泛的产品线,820年和821年,强大的Snapdragon处理器驱动旗舰店最新的Android。
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金鱼草之所以835真正特别的是,它是基于三星的10 nm FinFET技术万博体育登录首页半导体加工技术,这是前所未有的。万博体育登录首页
目前许多oem制造半导体是依靠14纳米技术,已经令人印象深刻,但是万博体育登录首页10纳米科万博体育登录首页技把它连接到下一个层次的分子水平大小分数。反过来,这将显著地提高性能,显著降低功耗。
通过扩展长达10年的合作与三星、高通将利用10纳米技术,显著提高soc, 835年从金鱼草。万博体育登录首页
“我们正兴奋的继续与三星合作开发产品,引领手机行业,“说负责产品管理的高级副总裁Keith Kressi万博体育登录首页n高通技术。“使用新的10 nm流程节点将允许我们的溢价835层Snapdragon处理器提供更大的功率效率和提高性能,同时也允许我们添加一些新功能,可以改善未来的移动设备的用户体验。”
金鱼草835如何更好?
高通表示,新的Snapdragon 835拥有面积效率提高了30%,27%的更大的性能,同时降低功耗40%。高通没有指定什么理由用于比较,但很可能比金鱼草820系列。
快速充电4
除了提高效率和性能,835也岩石高通Snapdragon最新的快速充电4技术,据称交付20%更快的充电时间而快速充电3。万博体育登录首页这应该转化为超高速的充电时间5小时的电池寿命在短短5分钟。
高通是基于这些说法在内部测试2750 mAh电池,几乎平均在高端智能手机市场上目前可用的。
还有待观察,不过,金鱼草835票价电池耐力而言,效率同样重要,性能和充电。快速充电4完全符合USB c型和USB-PD。高通公司之前有一些问题快速充电3 USB c类型兼容性。
可用性
最后,金鱼草835快速充电4和三星的10海里过程将在明年上半年上市,可能抵达即将到来的三星Galaxy S8等高端旗舰店。记住这一点,我们可能会得到一个在CES 2017上预览。
